Junction depth, LOCOS, FOX, STI, ohmic contact

헷갈려서 정리하는 개념

Junction depth

: 이온이 주입된 깊이로 background 도핑 농도와 implant 도핑 농도가 같아지는 시점을 말함

LOCOS, FOX, STI

LOCOS 공정을 통해 Field Oxide (FOX) 생성하여 트랜지스터 간 간섭을 없애기 위해 isolation 해 줌 하지만 bird’s beak으로 인해 후공정 시 planar하지 못한 구조로 PR을 형성하기 어려운 문제 발생
—> STI (shallow trench isolation)이 그 대비책. 굴곡이 없음

Ohmic Contact

간혹 cmos 인버터 공정을 보면 FOX 밑에 p+ implant 된 영역을 볼 수 있는데 이는 다른 트랜지스터 사이에 잘못된 CMOS가 설계되어 기생 트랜지스터나 기생 junction bjt가 만들어져 누설 전류가 흐를 수 있다. 그것을 방지하기 위하여 p+ implant를 해줌으로써 디바이스 간 isolation을 시켜주는 역할을 한다. 어떤 곳에서는 source와 연결해줌으로써 기판의 전압을 조절해주기 위해서라는 말도 있었는데 거기까진 잘 모르겠음




++ 강의자료, 인터넷, 책 등을 참고해서 작성